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錫和鋯硫屬層狀化合物半導體系列之晶體成長、光學及電學特性研究
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應用科技研究所
/111/ 博士
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研究生：
何琳達
指導教授：
何清華
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點閱：192
下載：0
- 全文公開日期 2027/07/30 (校內網路)
- 全文公開日期 2028/07/30 (校外網路)
- 全文公開日期 2028/07/30 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之晶體成長與特性研究
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應用科技研究所
/108/ 碩士
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研究生：
林書安
指導教授：
何清華
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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點閱：396
下載：0
- 全文公開日期 2025/08/19 (校內網路)
- 全文公開日期 2025/08/19 (校外網路)
- 全文公開日期 2025/08/19 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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鉻摻雜二硒化鉬與三硒化二鉻之單晶成長與特性研究
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應用科技研究所
/106/ 碩士
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研究生：
賴相儒
指導教授：
何清華
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本論文使用化學氣相傳導法( Chemical Vapor Transport，CVT）並以碘作為傳導劑成長鉻摻雜之二硒化鉬 (Mo1-xCrxSe2，x=0, 0.01, 0.05, 0.1…
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點閱：458
下載：2
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層狀過渡性金屬硫屬化合物W1-xNbxSe2(0 ≤ x≤ 0.2 ), MoTe2 與 WTe2之單晶成長與特性研究
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應用科技研究所
/106/ 碩士
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研究生：
紀品睿
指導教授：
何清華
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中文摘要
本論文是以化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）以碘作為傳導劑成長鈮摻雜之二硒化鎢 (W1-xNbxSe2，x=0, 0.01, 0.0…
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點閱：389
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硫化鍺之晶體成長及特性研究
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應用科技研究所
/105/ 碩士
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研究生：
李嘉軒
指導教授：
何清華
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中文摘要
本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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點閱：575
下載：2
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硒硫化鎵層狀二維半導體的光學特性研究
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應用科技研究所
/105/ 碩士
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研究生：
葉柏賢
指導教授：
何清華
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本論文以 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 法成長 法成長 Ga Se 1-xSx(x = 0 、0.10.10.1、0.20.2 、0.30.3 、 0.40.4 、0.5)0.5)…
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點閱：285
下載：6
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錸的硫屬層狀二維半導體系列之光學特性研究
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應用科技研究所
/105/ 碩士
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研究生：
劉展志
指導教授：
何清華
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本論文以化學氣相傳導法成長錸的層狀半導體，對此系列晶體進行結構分析，並藉由本實驗室光電量測系統對其特性加以分析研究及討論。
藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元素比，穿透式電子顯微鏡確認晶體組…
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點閱：253
下載：3
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銅基與銀基底黃銅礦結構半導體之單晶成長與特性研究
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應用科技研究所
/103/ 博士
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研究生：
潘家頎
指導教授：
何清華
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本研究論文主利用化學氣相傳導法以三氯化碘當傳導劑來成長Cu(In1-xAlx)S2、CuAl(S1-xSex)2、Ag(In1-xAlx)S2系列以及AgIn5S8半導體晶體，針對此系列晶體藉由光學…
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點閱：301
下載：11
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硫化鎵之晶體成長及光學特性研究
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應用科技研究所
/101/ 碩士
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研究生：
陳欣宏
指導教授：
何清華
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport method, CVT) 成長硫化鎵晶體，目前成功成長出Ga2S3晶體，之後進行晶體結構與光學特性分析。藉由能量散佈儀 …
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點閱：413
下載：25
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銅銦磷硒層狀半導體之晶體成長與特性研究
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應用科技研究所
/111/ 碩士
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研究生：
徐玉姍
指導教授：
何清華
、
周宏隆
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本論文利用化學氣相傳導法，成長出過渡金屬硫屬化合物半導體材料 CuInP2Se6，並研究其結構、光學與電學特性。藉由能量色散X射線光譜、X 射線光電子能譜儀確認成長之材料成分與預期相符。高解像能電子…
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點閱：259
下載：0
- 全文公開日期 2028/08/24 (校內網路)
- 全文公開日期 2028/08/24 (校外網路)
- 全文公開日期 2028/08/24 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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